老化測(cè)試過(guò)程一般為125℃在溫度下，可在其整個(gè)使用壽命內(nèi)提供給器件的偏置電壓。老化板配合老化板。IC老化試驗(yàn)座用于將半導(dǎo)體元件放入老化爐中。電壓施加可以是靜態(tài)或動(dòng)態(tài)的。不同類型的老化測(cè)試是靜態(tài)老化和動(dòng)態(tài)老化。下表比較了靜態(tài)老化和動(dòng)態(tài)老化測(cè)試。

靜態(tài)老化是指半導(dǎo)體器件處于非工作模式，半導(dǎo)體器件不輸入，其優(yōu)點(diǎn)包括低成本和相對(duì)簡(jiǎn)單的程序，成本相應(yīng)較低，但缺點(diǎn)是老化測(cè)試設(shè)備上監(jiān)控的電路節(jié)點(diǎn)不到實(shí)際數(shù)量的一半。靜態(tài)老化一般分為多種情況，通常是溫度穩(wěn)定輸入、供電和監(jiān)督部分mV和mA等級(jí)供電，屬于傳統(tǒng)的老化試驗(yàn)；

動(dòng)態(tài)老化半導(dǎo)體器件處于運(yùn)行狀態(tài)，向半導(dǎo)體器件提供輸入激勵(lì)信號(hào)，通過(guò)檢測(cè)相關(guān)信號(hào)確定芯片或半導(dǎo)體器件在老化或極端環(huán)境中的工作狀態(tài)，優(yōu)點(diǎn)包括對(duì)內(nèi)部電路施加更大壓力，檢測(cè)額外故障，動(dòng)態(tài)老化更接近半導(dǎo)體器件的具體應(yīng)用環(huán)境。

在老化測(cè)試中，芯片、PCB 或半導(dǎo)體器件在升高的溫度、電壓和功率循環(huán)條件下進(jìn)行測(cè)試。該測(cè)試通過(guò)強(qiáng)制其在監(jiān)控電路下，經(jīng)歷各種苛刻的老化測(cè)試條件來(lái)加速設(shè)備中潛在缺陷的出現(xiàn)。半導(dǎo)體器件的負(fù)載能力是通過(guò)施加高電壓和溫度等應(yīng)力來(lái)評(píng)估的。對(duì)生產(chǎn)批次的每個(gè)組件進(jìn)行老化測(cè)試，以確保符合制造標(biāo)準(zhǔn)并且組件可靠。